Partial array self refresh pasr поддерживается что это
Перейти к содержимому

Partial array self refresh pasr поддерживается что это

  • автор:

Регенерация памяти.

В отличие от быстрой, но дорогой статической памяти типа SRAM ( static random access memory), которая является конструктивно более сложным и более дорогим типом памяти и используется в основном в кэш-памяти, медленная, но дешёвая память DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерацией памяти. Он реализуется специальным контроллером, установленным на материнской плате или же на кристалле центрального процессора. На протяжении времени, называемого шагом регенерации, в DRAM перезаписывается целая строка ячеек, и через 8-64 мс обновляются все строки памяти.

Процесс регенерации памяти в классическом варианте существенно тормозит работу системы, поскольку в это время обмен данными с памятью невозможен. Регенерация, основанная на обычном переборе строк, в современных типах DRAM не применяется. Существует несколько более экономичных вариантов этого процесса — расширенный, пакетный, распределённый; наиболее экономичной является скрытая (теневая) регенерация.

Среди новых технологий регенерации — PASR ( Partial Array Self Refresh), применяемый компанией Samsung в чипах памяти SDRAM с низким уровнем энергопотребления. Регенерация ячеек выполняется только в период ожидания в тех банках памяти, в которых имеются данные.

Параллельно с этой технологией реализуется метод TCSR ( Temperature Compensated Self Refresh), который предназначен для регулировки скорости процесса регенерации в зависимости от рабочей температуры.

Интерфейс памяти

В интерфейсе памяти существуют линии адреса и линии данных. Линии адреса служат для выбора адреса ячейки памяти, а линии данных — для чтения и для записи ее содержимого. Необходимый режим работы определяется состоянием специального вывода Write Enable (Разрешение Записи).

Низкий уровень сигнала WE готовит микросхему к считыванию состояния линий данных и записи полученной информации в соответствующую ячейку, а высокий, наоборот, заставляет считать содержимое ячейки и «выдать» его значения в линии данных.

Совмещение выводов микросхемы увеличивает скорость обмена с памятью, но не позволяет осуществлять чтение и запись одновременно (однако размещенные внутри кристалла процессора микросхемы кэш-памяти, имеют раздельные линии, таким образом, возможен одновременный процесс считывания из одной ячейку во время записи другой).

Столбцы и строки матрицы памяти тем же самым способом совмещаются в единых адресных линиях. В случае квадратной матрицы количество адресных линий сокращается вдвое, но и выбор конкретной ячейки памяти отнимает вдвое больше тактов, ведь номера столбца и строки приходится передавать последовательно. Причем, возникает неоднозначность, что именно в данный момент находится на адресной линии: номер строки или номер столбца? А, быть может, и вовсе не находится ничего? Решение этой проблемы потребовало двух дополнительных выводов, сигнализирующих о наличии столбца или строки на адресных линиях и окрещенных RAS (от row address strobe — строб адреса строки) и CAS (от column address strobe — строб адреса столбца) соответственно. В спокойном состоянии на обоих выводах поддерживается высокий уровень сигнала, что говорит микросхеме: никакой информации на адресных линиях нет и никаких действий предпринимать не требуется.

Когда возникает необходимость прочесть содержимое некоторой ячейки памяти, контроллер преобразует физический адрес в пару чисел — номер строки и номер столбца, а затем посылает первый из них на адресные линии. Дождавшись, когда сигнал стабилизируется, контроллер сбрасывает сигнал RAS в низкий уровень, сообщая микросхеме памяти о наличии информации на линии. Микросхема считывает этот адрес и подает на соответствующую строку матрицы электрический сигнал. Все транзисторы, подключенные к этой строке, открываются и бурный поток электронов, срываясь с насиженных обкладок конденсатора, устремляется на входы чувствительного усилителя. Чувствительный усилитель декодирует всю строку, преобразуя ее в последовательность нулей и единиц, и сохраняет полученную информацию в специальном буфере. Все это (в зависимости от конструктивных особенностей и качества изготовления микросхемы) занимает от двадцати до сотни наносекунд, в течение которых контроллер памяти выдерживает терпеливую паузу. Наконец, когда микросхема завершает чтение строки и вновь готова к приему информации, контроллер подает на адресные линии номер колонки и, дав сигналу стабилизироваться, сбрасывает CAS в низкое состояние. Затем микросхема и преобразует номер колонки в смещение ячейки внутри буфера. Остается всего лишь прочесть ее содержимое и выдать его на линии данных. Это занимает еще какое-то время, в течение которого контроллер ждет запрошенную информацию. На финальной стадии цикла обмена контроллер считывает состояние линий данных, дезактивирует сигналы RAS и CAS, устанавливая их в высокое состояние, а микросхема берет определенный тайм-аут на перезарядку внутренних цепей и восстановительную перезапись строки.

Рис.8. Принцип действия записи DRAM для простого массива 4 на 4

Рис.9. Принцип действия чтения DRAM для простого массива 4 на 4

Выбор оперативки на ноут

Author24 — интернет-сервис помощи студентам

Свойства модуля памяти:
Имя модуля A-Data AD73I1C1674EV
Серийный номер 982D0600h (404888)
Дата выпуска Неделя 29 / 2012
Размер модуля 4 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)

Тайминги памяти:
@ 666 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh (ASR) Поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

2.
[ DIMM3: Nanya NT2GC64B88G0NS-CG ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Nanya NT2GC64B88G0NS-CG
Серийный номер 57CA0C0Dh (218942039)
Дата выпуска Неделя 14 / 2012
Размер модуля 2 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Nanya

Тайминги памяти:
@ 666 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh (ASR) Поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

Хочу поставить себе два модуля по 8 Г чтобы в сцмме было 16
вопрос подойдут ли ноуту вот эти

или может что другое посоветуете, я не до конца пойму момент с частотой

Auto Self Refresh (ASR) поддерживается что это?

Приветствую друзья! Сегодня мы поговорим про технологию, которую можно встретить в планках оперативной памяти.

Auto Self Refresh (ASR) — что это?

Поддержка энергосберегающего режима. В простое меньше кушает энергии.

Но на самом деле экономия минимальная, ватта нет и близко — милливатты. Поэтому если поддерживает планка то хорошо, а если нет то совсем некритично.

Не все производители памяти поддерживают эту функцию, например Kingston — поддерживает, а Elpida — нет.

Другая версия — Auto Self Refresh это частота регенерации памяти, то есть обновление заряда ячеек. Чем меньше значение, тем устойчивее работает память (данные не теряет), но чуть медленнее, чем при больших значения. Возможно эта версия относится к опции в биосе (если существует вообще).

Поддерживается опция или нет можно проверить программно, например в AIDA64:

Partial Array Self Refresh (PASR) — что это?

Технология частичной регенерации памяти, обеспечивающая снижение мощности, которая потребляется планкой памяти в режиме автономной регенерации при отсутствии операций чтения и записи.

Технология позволяет уменьшить скорость разряда аккумулятора уснувшей платформы (как понимаю имеется ввиду спящий режим).

Так в чем заключается суть технологии? Технология интеллектуально анализирует данные, которые сохранены в памяти с последующим выделением тех данных, которые должны быть сохранены. Если обьем этих данных намного меньше обьема запоминающей матрицы DRAM, тогда можно выполнить регенерацию памяти частично, сэкономив при этом потребление.

Заключение

  • Auto Self Refresh (ASR) — поддержка энергосберегающего режима.

Когда будете покупать оперативную память, то можете спросить еще совместима ли планка с поддержкой Auto Self Refresh с обычными планками. Однако, мне кажется что да, так как эта технология — лично планки памяти, не материнки, а именно планки.

Не используется все плашки оперативной памяти (2 из 4)

Ситуация в том что система видит все 4 плашки памяти, но используется лишь две. В какой именно момент перестали работать оценить точно не могу, возможно после отключения электричества (подозреваю сбой в настройках питания/частоты)

Теперь по порядку.

Установлена система вин 7х64
4 плашки по 2 гига.

но используется только две.

материнка гигабайт P55-UD3L (ver 2.0 биос FI) (в биосе показывает что используется только первый и второй DIMM

при этом если смотреть в AIDA 64 то из 4 слотов, в одном какие то странные параметры частоты

ПолеЗначение
Свойства модуля памяти
Имя модуляOCZ OCZ3V1333LV2G
Серийный номерНет
Размер модуля2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуляUnbuffered DIMM
Тип памятиDDR3 SDRAM
Скорость памятиDDR3-1066 (533 МГц)
Ширина модуля64 bit
Напряжение модуля1.5 V
Метод обнаружения ошибокНет
Частота регенерацииНорма (7.8 us)

Тайминги памяти
@ 533 МГц8-7-7-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц7-7-7-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-59-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц6-6-6-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-4-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц5-5-5-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-42-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR)Поддерживается
DLL-Off ModeНе поддерживается
Extended Temperature RangeНе поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh RateНе поддерживается
Module Thermal SensorНе поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS)Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR)Не поддерживается
RZQ/6Поддерживается
RZQ/7Поддерживается

Производитель модуля памяти
ФирмаOCZ Technology Group, Inc.

Пример того который выделяется

ПолеЗначение
Свойства модуля памяти
Имя модуляOCZ OCZ3V1333LV2G
Серийный номерНет
Размер модуля2 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуляUnbuffered DIMM
Тип памятиDDR3 SDRAM
Скорость памятиDDR3-1066 (533 МГц)
Ширина модуля64 bit
Напряжение модуля1.5 V
Метод обнаружения ошибокНет
Частота регенерацииНорма (7.8 us)

Тайминги памяти
@ 250 МГц8-8-8-129 (CL-RCD-RP-RAS) / 129-2056-8-8-8-8-129 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 219 МГц7-7-7-113 (CL-RCD-RP-RAS) / 113-1799-7-7-7-7-113 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 188 МГц6-6-6-97 (CL-RCD-RP-RAS) / 97-1542-6-6-6-6-97 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 156 МГц5-5-5-81 (CL-RCD-RP-RAS) / 81-1285-5-5-5-5-81 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR)Поддерживается
DLL-Off ModeПоддерживается
Extended Temperature RangeПоддерживается
Extended Temperature 1X Refresh RateПоддерживается
Module Thermal SensorНе поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS)Поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR)Поддерживается
RZQ/6Поддерживается
RZQ/7Поддерживается

Производитель модуля памяти
ФирмаOCZ Technology Group, Inc.

Все 4 плашки одинаковые, DDR3 PC10666 2GB OCZ Value OCZ3V1333LV2G 9-9-9 1.65v

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *