Dram vpp voltage что это
Перейти к содержимому

Dram vpp voltage что это

  • автор:

VPP (VPPM) Voltage — напряжение для доступа к строке DRAM 2,5V DDDR4 критично или нет ? — Оперативная память — Ответ 16016239

Кароче понятно в чём причина — перевёл БИОС с русского языка на английский и все функции получили нормальное название вместо этих ( почему они были не на русском — но при этом имели как-будто корявый перевод на английский ( по логике с английского же ) я вообще фиг его знает ) .

Только AIDA64 до сих пор пишет VPPM .

Меню пользователя @ Wadim_Ymniy

94731 / 64177 / 26122
Регистрация: 12.04.2006
Сообщений: 116,782
Готовые ответы и решения:

CPU Standby Voltage как я понимаю это другое название System Agent Voltage или нет ?
Для матерей ASUS , ASRock . И выше сколько его не стоит поднимать для 10-11 поколений на не самых.

По 12v проседает до 9v критично ли, или нет?
В общем, решил разогнать проц до 4.2 ггц ryxen 5 3600x башня не выпускает за пределы 80 градусов.

Разные вольтажи ОЗУ — критично или нет?
Доброго времени суток. Задался таким вопросом. У меня сейчас стоит ОЗУ 2×4 Gb 1600 MHz 9-9-9-27.

DRAM led горит красным, материнка или нет?
На днях купил новый процессор i7 6700k , материнку Asus z170 pro gaming и оперативу corsair.

Нужно ли менять напряжение DRAM в BIOS?
Память такая. Напряжение по спецификации — 1.35. Ну я взял и выставил его. Дефолтно стояло Audo.

87844 / 49110 / 22898
Регистрация: 17.06.2006
Сообщений: 92,604
Помогаю со студенческими работами здесь

Windows XP нет доступа к сети, нет доступа к Norton антивирус, сетевых служб нет
Отключился Инет, попробовал загрузить сетевые подключения — нет ни одной иконки. Загрузился с.

Написать функцию для определения, одинаковы или нет второе и последнее слово в заданной строке
Дана строка символов. Написать функцию для определения одинаковы или нет второе и последнее слово.

Написать функцию для определения одинаковы или нет второе и последнее слово в этой строке
Дана строка символов. Написать функцию для определения одинаковы или нет второе и последнее слово в.

Горит лампочка DRAM LED. Нет изображения
Проблема в следущем, данным железом уже как год гоняю, все нормас было. И тут сижу играю в.

Нет доступа или файл уже используется
На винте нет системы. При попытке загрузиться через лив сд и скопировать папки те из них, на.

Нет доступа к файлу или TEMP-каталогу
Всем добра! Помогите разобраться: пытаюсь запустить мультимедийный курс TeachPro, скачал.

На что обратить внимание при разгоне оперативной памяти DDR5?

Самый простой и быстрый способ разгона модулей DDR5 (как и прежде) — профили XMP, ровно как и вспомогательные утилиты, интегрированные в UEFI BIOS материнских плат (например, у MSI это Memory Try It!).

msi

Главная / Обзоры и рецензии / Технологии / На что обратить внимание при разгоне оперативной памяти DDR5?

DDR5, быть может, и не является абсолютным стандартом сегодняшнего дня (многие перейдут на него в ближайшие годы, но точно не сейчас), однако оверклокеры и любители современных технологий уже во всю осваивают возможности новой оперативки. Отличается ли процесс разгона модулей DDR5 от DDR4? На что обратить внимание в ходе экспериментов? Вопросы существуют, и они требуют безотлагательных ответов. В данном материале поговорим о наиболее важных аспектах.

Высокая тактовая частота или низкие тайминги?

Самый простой и быстрый способ разгона модулей DDR5 (как и прежде) — профили XMP, ровно как и вспомогательные утилиты, интегрированные в UEFI BIOS материнских плат (например, у MSI это Memory Try It!).

Если этого недостаточно, необходимо перейти к ручному вмешательству. Постепенно увеличивайте тактовую частоту памяти и прогоняйте бенчмарк AIDA64. Разгоняйте ОЗУ до тех пор, пока система перестанет вести себя стабильно.

Производительность памяти зависит не только от тактовой частоты, но и от таймингов (чем они ниже, тем лучше). В ходе оверклокинга модулей DDR5 обратите внимание на три ключевых тайминга:

После того, как вы найдете максимально стабильную тактовую частоту вашего комплекта, поэкспериментируйте с указанными выше таймингами (постепенно снижайте показатели и вновь прогоняйте тест AIDA64).

При разгоне оперативной памяти зачастую не обойтись без корректировки вольтажа. В случае с DDR5 необходимо обратить внимание на следующие показатели напряжений:

  • CPU SA Voltage
  • CPU VDDQ Voltage
  • DRAM Voltage
  • DRAM VDDQ Voltage

Правильные значения помогут в деле достижения максимальных результатов и стабильной работы ПК.

Высокая тактовая частота или низкие тайминги? На этот вопрос нет однозначного ответа, потому что разные сочетания дают разный результат.

Многое зависит и от конкретных операций/задач (какие-то лучше реагируют на низкие задержки, какие-то — на дополнительные мегагерцы). Оптимальное значение придется искать самостоятельно.

Про биос и его параметры

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.

DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.

VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.

VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.

CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.

Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.

Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.

VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.

PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.

Андрей ПоволяевИскусственный Интеллект (147479) 3 года назад

BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.

Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.

Андрей ПоволяевИскусственный Интеллект (147479) 3 года назад

CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).

CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.

procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.

Андрей ПоволяевИскусственный Интеллект (147479) 3 года назад

RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.

Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.

Андрей ПоволяевИскусственный Интеллект (147479) 3 года назад

Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.

Dram vpp voltage что это

Любой вопрос с проблемой настройки памяти, подкрепляйте скрином ZenTimings, обязательно указываем DRAM Voltage.
Убедительная просьба заполнять профиль и подпись на форуме, указывая свои комплектующие.

Что нужно для настройки и разгона памяти —>

1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку «spoiler=» а не просто «spoiler».

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в «mt.cfg», «cycles=3» скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться.

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *