Как понизить latency оперативной памяти ddr4
Перейти к содержимому

Как понизить latency оперативной памяти ddr4

  • автор:

Как понизить латентность оперативной памяти DDR4

Каждый компонент персонального компьютера вносит свой вклад в уровень итоговой производительности системы. Это и процессор, и видеокарта, и жёсткий диск, и конечно оперативная память. Главными характеристиками памяти является её тип, частота и тайминги.

Тайминги памяти — величина довольно абстрактная, это не секунды или миллисекунды. Это такты. Но главное (с чем напрямую связаны тайминги памяти) — это латентность памяти. Латентность памяти — время, затрачиваемое процессором на получение байта информации из оперативной памяти. В этой статье мы разберемся как понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen.

Что лучше — латентность или частота работы памяти

Латентность оперативной памяти для Ryzen может быть вычислена с помощью специальных тестов производительности. На этикетке продаваемых модулей памяти величина затрачиваемого на обмен информацией времени между процессором и модулем памяти показана в виде набора таймингов. Основные из них: CL, TRCD, TRP и TRAS (для DDR4 TRAS неактуален), иногда к ним ещё добавляется пятый параметр — Command rate.

Частота влияет на пропускную способность памяти. Если для выполнения задачи достаточно и просто пропускной способности с запасом, то ещё больше ускорить выполнение такой задачи может помочь лишь снижение латентности памяти.

Также латентность играет важную роль в задачах, в которых нужен максимально быстрый отклик на действия пользователя или других программ.

Как уменьшить латентность памяти Ryzen

Лучше покупать разогнанные модули памяти с предустановленными в них профилями XMP. Такой профиль сразу позволит использовать минимальные тайминги для данного модуля, активировав его в настройках BIOS материнской платы.

Вариант посложнее — купить обычную неразогнанную память с хорошими чипами от Samsung, Hynix или Micron и самому настроить тайминги памяти. Для процессоров Ryzen имеется утилита DRAM Calculator for Ryzen, позволяющая подобрать тайминги памяти и тем самым снизить латентность (см. статью об утилите: Как пользоваться Ryzen DRAM Calculator).

Попробуем добиться некоторого снижения латентности памяти в обычных модулях, без XMP.

1. Тестирование до снижения латентности

Ещё до коррекции таймингов памяти проведём тестирование времени отклика (латентности) с помощью Теста кэша и памяти утилиты AIDA64:

uploaded-post-1586078396_html_28d72a10d0d5f31e.jpg

И ещё сделаем это с помощью теста MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

uploaded-post-1586078396_html_2a2bbc4535a2beaa.jpg

2. Технические особенности модулей памяти

С помощью программы Thaiphoon Burner мы можем более подробно посмотреть характеристики модулей памяти. Данные модули используют микросхемы Micron MT40A1G8SA-062E:J.

uploaded-post-1586078396_html_d228eeea26fad4c8.jpg

Для этих микросхем есть техническая документация в Интернет. В ней имеются интересующие нас технические характеристики:

  • 1G8: Configuration — 1 Gig x 8;
  • SA: 78-ball 7,5 мм x 11,0 мм FBGA;
  • -062E: CK = 0.625 нс, CL = 22;
  • :J: Die Revision — :J.

uploaded-post-1586078396_html_dedb82d3765a349d.jpg

Электрические спецификации данных чипов памяти следующие:

  • VDD: от -0,4 В до 1,5 В;
  • TSTG: от -55 о С до 150 о С.

При этом рекомендуемая температура не должна превышать 85 о С.

uploaded-post-1586078396_html_c3b5fd53df639aff.jpg

Из показанного выше следует: мы можем аккуратно повышать напряжение до 1,4 В, если при этом будем соблюдать безопасный температурный режим памяти.

Внимание: повышение напряжения влечёт за собой серьёзный нагрев чипов! Для того, чтобы избежать этого, необходимо купить для них специальные радиаторы и установить их на модули памяти. В противном случае из-за повышенных температур возможна деградация чипов памяти и, соответственно, выход модулей из строя.

В процессе изучения спецификаций чипов памяти сравнивались чипы B-die и J-die, в следствие чего были сделан вывод, что отличаются данные чипы только диапазоном температур (у J-die диапазон более широкий) и разными токами, но незначительно. В интерфейсе утилиты DRAM Calculator for Ryzen нет опции выбора чипов J-die, поэтому мы выберем в разделе Memory Type чипы Micron E/H-die, так как они в данной серии являются, судя по документации, наиболее некачественными.

3. Подбор таймингов — профиль V1

Как было сказано выше, подбирать тайминги чтобы снизить латентность памяти мы будем с помощью утилиты DRAM Calculator for Ryzen. Перейдите на вкладку Main, выберите характеристики вашего оборудования:

  • Processor: ZEN + AM4. Процессор в моём компьютере Ryzen 2700.
  • Memory Type: Micron E/H-die.
  • Profile version: V1.
  • Memory Rank: 1. Данные модули памяти одноранговые.
  • Frequency (MT/s): 2933 МГц. Чипы могут функционировать и при гораздо более высоких частотах. Однако, так как нашей целью является уменьшение задержек, выбрана именно данная частота — для неё не нужно дополнительно настраивать контроллер памяти в процессоре (см. статью о разгоне памяти: Как разогнать память на Ryzen).
  • BCLK (100-104.8): 100 МГц.
  • DIMM Modules: 2 модуля.
  • Motherboard: B350/X370.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Программа выдаёт следующие результаты для выбранных нами стартовых параметров:

uploaded-post-1586078396_html_6dd68276a686cf3f.jpg

Теперь необходимо зайти в настройки BIOS (UEFI) компьютера и установить вычисленные нами ранее значения.

После установки этих значений наш стендовый компьютер, к сожалению, отказался загружаться. Вычисленные тайминги не подошли. С помощью джампера сбрасываем настройки BIOS до заводского состояния (см. статью: Как сбросить BIOS на заводские настройки). Затем надо попытаться подобрать тайминги по втором профилю. Данная версия профиля рекомендуется для менее качественных чипов памяти.

4. Подбор таймингов — профиль V2

Перезагрузив Windows, вновь запускаем утилиту DRAM Calculator for Ryzen, выбрав ваши параметры:

  • Processor: ZEN + AM4 — поколение и сокет вашего процессора.
  • Memory Type: Micron E/H-die — Производитель и B-Die ревизия чипов вашей памяти, которую вы узнали из утилиты Thaiphoon Burner.
  • Profile version: V2 — версия профиля.
  • Memory Rank: 1 — количество рангов вашей памяти, обычно 1.
  • Frequency (MT/s): 2933 МГц — частота, которая должна получиться после разгона памяти.
  • BCLK (100-104.8): 100 МГц — частота работы шины материнской платы, по умолчанию 100 МГц.
  • DIMM Modules: 2 — количество модулей оперативной памяти в вашей системе.
  • Motherboard: B350/X370 — чипсет вашей материнской платы.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Получаем следующие результаты:

uploaded-post-1586078396_html_2e2bd2ebdb55e843.jpg

Перезагружаем компьютер, вносим изменения в значения таймингов, опять перезагружаем компьютер, загружаем настройки BIOS. Теперь компьютер работоспособен.

5. Тонкий подбор таймингов памяти

Так как между сформированными с помощью профилей V1 и V2 наборами таймингов может быть достаточное количество промежуточных вариантов, непосредственно в BIOS пробуем потихоньку уменьшать значения, взятые из рассчитанных для профиля V2, до значений аналогичных таймингов, рассчитанных для профиля V1.

Есть основные тайминги: tCL, tRCDWR, tRCDRD, tRP, tRAS и CL. Их сначала не трогаем. Остальные тайминги устанавливаем в значения, рассчитанные для V1. Проверяем работоспособность компьютера. Если компьютер работает корректно, меняем по одному указанные выше тайминги и проверяем каждый раз работоспособность. В случае, если работоспособность оказалась нарушена, откатываемся на шаг назад.

Опытным путём выясняем, что тайминги для профиля V1 работоспособны с отличием всего в одном параметре: значение tRP — вместо 14 должно равняться 15. Именно к настройкам, рассчитанным для профиля V1, следует стремиться максимально приблизиться — они наиболее интересны в плане производительности, в то время как тайминги для профиля V2 — скорее усреднённые, более безопасные.

Скриншоты с выполненными настройками:

uploaded-post-1586078396_html_da6bd2f73c5e4467.jpg

uploaded-post-1586078396_html_3eec35fa19d796cc.jpg

uploaded-post-1586078396_html_eafc7f29b2f047e8.jpg

uploaded-post-1586078396_html_b47845b2a1fa36c0.jpg

uploaded-post-1586078396_html_30fd3c2fc7c4c2b4.jpg

uploaded-post-1586078396_html_a046a51c5be4f3d0.jpg

Теперь вы знаете как понизить латентность памяти, сделаем ещё немного тестов.

6. Проверка табильности

После завершения настройки параметров памяти конечно же необходимо протестировать стабильность её работы. Для этого можно использовать Тест стабильности системы утилиты AIDA64, его составляющие:

  • Stress CPU;
  • Stress FPU;
  • Stress cache;
  • Stress system memory.

Нажимаем кнопку Start. Тест пройдён не был.

uploaded-post-1586078396_html_9b21b0676297655f.jpg

Перезапускаем компьютер, заходим в настройки BIOS и повышаем параметр напряжения DRAM Voltage до 1,36 В.

uploaded-post-1586078396_html_84ff87a7e57fbc85.jpg

Сохраняем настройки BIOS и перезагружаемся. Вновь запускаем Тест стабильности системы утилиты AIDA64. Тест вновь завершён с ошибкой.

Опять в настройках BIOS немного повышаем значение параметра DRAM Voltage, но не выше чем максимальное возможное для ваших чипов памяти. В данном случае до 1,39 В, опять перезагружаемся и запускаем тест.

uploaded-post-1586078396_html_2d1fcc68b24334fc.jpg

Опять ошибка. После этого перезагружаем компьютер и немного увеличиваем в настройках BIOS значения для таймингов tRCDWR и tRCDRD, например:

uploaded-post-1586078396_html_9a94c345f0f5769b.jpg

Перезагружаемся и запускаем тот же тест. Стресс-тест выполнялся 7 минут, ошибок обнаружено не было. Далее попробуем снизить значение параметра напряжения питания памяти DRAM Voltage, например, к значению 1,34 В.

uploaded-post-1586078396_html_347c1f9b3ef03855.jpg

Перезагрузка и выполнение теста. Процесс длился 7 минут, ошибок не было.

uploaded-post-1586078396_html_714d99b114877080.jpg

7. Тестирование после снижения латентности

После выполнения всех тестов необходимо оценить результаты выполнения всех настроек функционирования оперативной памяти для снижения задержек чтобы понять насколько снизилась латентность оперативной памяти для Ryzen Для этого выполним вновь Тест кэша и памяти утилиты AIDA64:

uploaded-post-1586078396_html_f4e7c48baa01ad42.jpg

Кроме этого выполним ещё и тест MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

uploaded-post-1586078396_html_b2649a20801ba1fc.jpg

Для сравнения с другими процессорами можно дополнительно выполнить тест Задержка памяти утилиты AIDA64:

uploaded-post-1586078396_html_200a8fba3c6a18de.jpg

Сравним полученный уровень латентности памяти до и после подбора таймингов.

Наглядно это видно на скриншоте:

Итак, по данным утилиты AIDA64 нам удалось уменьшить латентность памяти Ryzen на 8,91 %, а по данным утилиты DRAM Calculator for Ryzen — на 10,23 %.

В тесте Задержка памяти утилиты AIDA64 наш процессор AMD Ryzen 7 2700 по латентности оперативной памяти обошёл занесённый в базу процессор AMD Ryzen 7 2700X и почти догнал Intel Core i7-5820K.

Выводы

Сегодня на практике мы изучили такое понятие, как латентность памяти для Ryzen. Фактически был построен новый профиль XMP для использованных нами конкретных модулей памяти. Используя эту инструкцию, вы также можете понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen на своем компьютере, если желаете иметь максимальную отзывчивость системы. Также данная инструкция будет полезна тем, кто уже разогнал память по параметру частоты. В таком случае дальнейший рост производительности возможен только при снижении уровня латентности памяти (уменьшении таймингов памяти).

Тайминги оперативной памяти: как узнать и настроить

Тайминги оперативной памяти

Тайминг ОЗУ — это набор параметров, которые определяют, насколько быстро модуль оперативной памяти может получать доступ к данным и доставлять их. Тайминг оперативной памяти устанавливается производителем и определяется в спецификациях устройства. Они сказываются на эффективности оперативной памяти и могут повлиять на скорость работы системы. Более быстрые показатели способны привести к более быстрому доступу к информации и их передаче, но они также имеют увеличенную стоимость.

Важны ли тайминги оперативной памяти?

Тайминги ОЗУ важны, поскольку они могут повлиять на общую производительность персонального компьютера. Они имеют непосредственное отношение к задержке между моментом, когда делается запрос на доступ к данным из RAM чипов, и моментом, когда данные фактически доступны для использования. Однако важно отметить, что такой фактор, как скорость оперативной памяти, также может влиять на эффективность.

Как узнать тайминги оперативной памяти?

Самый простой способ узнать тайминги — проверить спецификации. Эта информация доступна пользователю на упаковке продукта или на сайте производителя. Если же доступа к упаковке нет, используется уже собранный персональный компьютер или ноутбук, то очень часто можно найти характеристики скорости в системном БИОС или прошивке UEFI.

Проверка таймингов оперативной памяти

Чтобы получить доступ к этим данным, необходимо перезагрузить компьютер и войти в утилиту настройки BIOS/UEFI, нажав определенную клавишу во время процесса загрузки. Стандартный вариант требует нажатия либо F2, либо F10 или Delete (на выбор). Когда вы окажетесь в утилите настройки, найдите раздел с надписью «Память» или «ОЗУ» — это должно дать доступ к необходимой информации. Если персональный компьютер собирался самостоятельно или была проведена замена планки оперативки, можно использовать сторонние программные утилиты, чтобы узнать тайминги памяти. CPU-Z — один из самых популярных вариантов, который может предоставить подробную информацию об аппаратном обеспечении устройства.

Расшифровка таймингов

Такие характеристики обычно представляются в виде ряда чисел, например «CL16-18-18-38» или «16-16-16-39». Эти цифры относятся к различным аспектам производительности оперативной памяти таким, как частота и тайминги оперативной памяти. Первое число, часто обозначаемое как «CL» или «CAS Latency», указывает на тактовые циклы, требующиеся RAM для ответа на запрос от ЦП. Меньшее число CL указывает на более высокую производительность — например, модуль ОЗУ с CL 14 будет быстрее отвечать на запросы, чем модуль с CL 16. Остальные числа во временной последовательности относятся к другим аспектам производительности ОЗУ, например, ко времени для чтения или записи данных. Эти числа обычно менее важны, чем число CL, но они все же могут влиять на общую производительность.

Схема таймингов памяти

  • CL. Задержка CAS.
  • tRCD. Задержка от RAS к CAS. Это относится к задержке между активацией строки в памяти и доступом к столбцу.
  • tRP. Время предварительной зарядки строки необходимое для деактивации строки после того, как данные были прочитаны или записаны в нее.
  • tRAS. Активен для времени предварительной зарядки. Это относится ко времени, которое требуется для деактивации строки и активации новой строки.

Все эти показатели имеют очень важное значение для полноценной работы устройства.

Штатные тайминги

Тайминги оперативной памяти могут сильно различаться в зависимости от конкретного модуля и производителя. Однако есть несколько «штатных» моментов, с которыми сталкивается большинство пользователей:

  • CL16. Это наиболее распространенное время для модулей оперативной памяти DDR4, и оно указывает на относительно высокую производительность. CL, или задержка CAS, является наиболее важным моментом, который следует учитывать при покупке ОЗУ. Он представляет собой количество тактов, которое требуется оперативной памяти для ответа на запрос от ЦП. Чем меньше число CL, тем быстрее будет работать оперативная память. Модуль ОЗУ CL16 обычно имеет время отклика 10 нс.
  • CL18. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL18 немного медленнее, чем модули CL16, но они также более доступны по цене. Обычно они имеют время отклика 11,25 нс.
  • CL14. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL14 считаются высококачественными и, как правило, более дорогими. Они обеспечивают высокую производительность со временем отклика 8,75 нс.

Нужно разобраться в том, какие средние показатели в наиболее актуальных поколений RAM.

Средние тайминги DDR4

DDR4, или Double Data Rate 4 — это память DDR четвертого поколения, которая предлагает более высокую пропускную способность и скорость, чем ее предшественница DDR3. DDR4 предназначена для работы с современными процессорами и материнскими платами, обеспечивая более высокую производительность и эффективность компьютеров и других электронных устройств.

Модули памяти DDR4 имеют разные характеристики, влияющие на их производительность, и выбор правильных таймингов может значительно повлиять на скорость и стабильность вашей системы. Следует разобрать средние тайминги DDR4 и как выбрать правильные тайминги для конкретной системы.

Память DDR4 работает с базовой тактовой частотой 2133 МГц и может повышаться до 4800 МГц, обеспечивая более высокую пропускную способность, чем память DDR3. Память DDR4 поставляется в различных конфигурациях таких, как одноранговая, двухранговая, четырехранговая и восьмиранговая, каждая из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Память DDR4 также имеет различные тайминги, такие как задержка CAS (CL), tRCD (задержка RAS-CAS), tRP (время предварительной зарядки строки), tRAS (задержка между активным и предварительным зарядом) и tRC (время цикла строки). Эти тайминги определяют, сколько времени требуется контроллеру памяти для доступа к конкретной ячейке памяти и завершения операции чтения или записи.

Средние тайминги DDR4 — это среднее значение 4 основных таймингов:

  • задержка CAS (CL);
  • tRCD;
  • tRP;
  • tRAS.

Средние тайминги выражаются 4 числами, например 16-18-18-36, которые представляют четыре тайминга по порядку.

Задержка CAS (CL)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после получения команды. CL является наиболее важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения CL указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения CL для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRCD (задержка RAS to CAS)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после активации строки памяти. tRCD — второй по важности показатель времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRCD указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRCD для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRP (время предварительной зарядки строки)

Время, необходимое контроллеру памяти для предварительной зарядки строки памяти перед доступом к другой строке. Наименее важный показатель для производительности памяти DDR4, и более высокие значения tRP не влияют на производительность так сильно, как более высокие значения CL или tRCD. Типичные значения tRP для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRAS (задержка от активации до предварительной зарядки)

Время, необходимое контроллеру памяти для активации строки памяти и последующей ее предварительной зарядки. tRAS также является важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRAS указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRAS для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 30 до 42, где 30 — самый быстрый, а 42 — самый медленный.

Чем выше рабочая частота ОЗУ, тем выше время CL. Также отметим, что в таких случаях производительность поднимается за счёт увеличенной частоты при более менее приемлемых таймингах. Для наглядности стоит посмотреть на сравнительную таблицу самых популярных вариантов.

Поколение RAM Частота CL tRCD tRP tRAS
DDR4 2400 14 15 15 35
DDR4 2666 15 17 17 35
DDR4 3000 15 – 16 16 – 18 16 – 18 35 – 36
DDR4 3200 16 18 18 36
DDR4 3600 16 – 18 18 – 22 18 – 22 38 – 42

Значения для модулей памяти DDR4 могут различаться в зависимости от производителя и конкретной модели модуля памяти.

Подбор таймингов памяти DDR4

При выборе DDR4 необходимо учитывать несколько факторов, таких как характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Вот несколько рекомендаций, которые помогут выбрать правильные DDR4:

  • Проверьте характеристики процессора и материнской платы. Характеристики процессора и материнской платы играют решающую роль в определении максимальной поддерживаемой скорости DDR4. Перед покупкой DDR4 проверьте характеристики процессора и материнской платы, чтобы убедиться, что память совместима.
  • Учитывайте сценарий использования системы. Предполагаемое использование системы также может влиять на выбор DDR4. Например, если вы собираете игровой ПК, более быстрая синхронизация может обеспечить лучшую производительность в ресурсоемких играх. С другой стороны, если вы создаете рабочую станцию для таких задач, как редактирование видео или 3D-моделирование, больший объем памяти может оказаться более важным, чем более быстрое время.
  • Бюджет. Память DDR4 с более быстрыми характеристиками может быть дороже, чем с более медленными показателями. Подумайте о своем бюджете и выберите подходящие варианты DDR4.
  • Оптимизация вручную. Некоторые материнские платы позволяют вручную настраивать DDR4 для повышения производительности. Всегда проверяйте руководство к материнской плате и следуйте рекомендациям производителя при настройке.

При выборе DDR4 учитывайте характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Кроме того, нормальная латентность памяти DDR4 позволяет вручную настраивать timing, но это требует технических знаний и может привести к аннулированию гарантии. Выберите DDR4, которая обеспечит наилучший баланс производительности, совместимости и доступности для вашей системы.

Средние тайминги DDR3

Временные значения DDR3 зависят от конкретного модуля и частоты, на которую он рассчитан. Вот типичные характеристики для DDR3 на разных частотах:

Поколение RAM Частота CL tRCD tRP tRAS
DDR3 1333 9 9 9 24
DDR3 1600 11 11 11 28
DDR3 1866 13 13 13 32
DDR3 2133 15 15 15 35

Это наиболее распространенные значения таймингов, но разные производители могут предлагать несколько разные значения таймингов в зависимости от конкретного модуля. Кроме того, некоторые модули могут поддерживать XMP (Extreme Memory Profile), который может обеспечить еще более точные значения времени для повышения производительности, но требует ручной настройки в BIOS.

Задержка памяти DDR3

Задержка DDR3 относится к времени, которое требуется для доступа и извлечения данных. Задержка DDR3 может варьироваться в зависимости от нескольких факторов, включая скорость, тайминги, установленные в BIOS системы, а также конкретный ЦП и материнскую плату, используемые в системе.

Как правило, DDR3 имеет задержку CAS (строб доступа к столбцу) 9, 10, 11 или 12 тактов. Общая задержка рассчитывается путем добавления задержки CAS к дополнительной задержке, вносимой другими синхронизациями, такими как RAS (строб доступа к строке) и tRCD (задержка от RAS к CAS).

Общая задержка DDR3 может варьироваться от 9 нс для DDR3-1600 с малой задержкой до 15 нс и более для DDR3-1066 с большей задержкой. Однако важно отметить, что хотя меньшая задержка может привести к более быстрому доступу к данным, более высокая частота и большая емкость также могут улучшить общую производительность системы.

Какие тайминги лучше для DDR3

Для большинства пользователей DDR3 с таймингами 9-9-9-24 или 8-8-8-24 на частоте 1600 МГц является хорошим балансом между производительностью и стоимостью. Эти тайминги для DDR3 относятся к задержкам CAS, tRCD, tRP и tRAS соответственно.

Однако если вы создаете высокопроизводительную систему для игр или других ресурсоемких приложений, вам может потребоваться более быстрая DDR3 с более низкими таймингами, например, 7-7-7-20 или 6-6-6-18 при частоте 1866 МГц или более. Эти более быстрые комплекты, как правило, будут дороже, но они могут обеспечить заметный прирост производительности в определенных сценариях.

Латентность памяти DDR3

Задержка DDR3 относится ко временной задержке между запросом данных из модуля и доставкой этих данных в ЦП. Измеряется в наносекундах (ns) или тактовых циклах (CL). DDR3 имеет несколько временных параметров, влияющих на ее задержку, включая задержку CAS (CL), tRCD, tRP и tRAS.

Более низкие значения DDR3 приводят к более высокой производительности и меньшей задержке. Однако реальный выигрыш в производительности зависит от конкретной конфигурации системы и рабочей нагрузки. При выборе DDR3 для системы важно учитывать характеристики ЦП, материнской платы и разные тайминги оперативной памяти DDR3, чтобы обеспечить совместимость и оптимальную производительность.

Можно ли ставить оперативную память с разными таймингами?

В компьютерную систему можно установить RAM с разными таймингами. Однако когда устанавливается ОЗУ с разными таймингами, система будет использовать тайминги самого медленного установленного модуля ОЗУ. Это означает, что если у вас есть модуль RAM с таймингом 16-18-18-36 и другой модуль с таймингом 14-16-16-32, система будет работать с обоими модулями RAM на 16-18-18-36.

Должны ли совпадать тайминги оперативной памяти

Рекомендуется использовать модули RAM с одинаковыми таймингами, чтобы обеспечить наилучшую производительность и стабильность системы. Если вам нужно обновить систему и если у оперативной памяти разные тайминги — это не должно вызывать серьезных проблем. Чтобы добиться наилучших показателей, стоит со временем заменить модули на те, что будут иметь одинаковые тайминги.

Какие тайминги лучше для оперативной памяти?

Наилучшие тайминги для RAM зависят от нескольких факторов, включая конкретный тип и скорость используемого ОЗУ, а также требования к производительности компьютерной системы. Более низкие тайминги ОЗУ лучше влияют на производительность, потому что они позволяют памяти быстрее получать доступ к данным и передавать их. Однако это также означает, что модули RAM должны иметь возможность надежно работать на более высоких скоростях, чего может быть сложнее достичь с более производительной RAM.

Высокие тайминги оперативной памяти

Обычно относятся к более медленным таймингам, которые могут ограничивать производительность вашей ОЗУ. Это означает, что RAM потребуется больше времени для доступа и передачи данных, что может привести к снижению общей результативности системы.

Некоторые возможные причины использования более высоких таймингов ОЗУ могут включать:

  • Стабильность. В некоторых случаях увеличение таймингов вашей RAM может сделать ее более стабильной, особенно если вы разгоняете свою плату или другие системные компоненты.
  • Совместимость. Некоторые старые или более дешевые системы могут не поддерживать высокую производительность с низкими таймингами, поэтому увеличение таймингов может помочь обеспечить совместимость с вашим оборудованием.
  • Стоимость. Модули ОЗУ с меньшим значением времени могут быть дороже, чем модули с более высоким значением времени, поэтому выбор более высоких значений времени может быть более выгодным для некоторых пользователей.

Однако важно иметь в виду, что использование высоких таймингов ОЗУ почти всегда приводит к более низкой производительности, чем использование более низких таймингов, поэтому вам следует тщательно взвесить преимущества и недостатки использования более высоких таймингов для вашего конкретного случая использования.

У ВАС ВОЗНИКЛИ ВОПРОСЫ?

Задайте любые интересующие вопросы по WhatsApp

Как уменьшить латентность памяти? Сейчас 75 нс.

Или на моём железе ниже 75 нс нельзя?
Мать: Asus P7P55 LX
Проц: i5 750
Память: DDR3 1333, 2 плашки по 2 Гб в двухканале + 2 плашки по 4Гб в двухканале.

Лучший ответ

Остальные ответы

Алексей КантМастер (2332) 4 года назад

Я вчера смотрел это видео. Там не совсем понятно что он делает.

У тебя получилось решить проблему.

Разгоном памяти можно уменьшить, но проще не париться этой темой

Надеюсь я опоздал и ты купил более мощное железо, если же нет, то вот лови таблицу, снизь тайминги и будет тебе счастье. Твои тайминги я выделил.

Дмитрый БббУченик (145) 2 года назад

А как снижать тайминги?

Дмитрый Ббб, да они какую-то хрень умную ляпнут не объясняя, а не шарющий человек должен сам искать где, куда и что расположено.

Виктор ЗалипатовПрофи (794) 2 года назад

«Не шарющий» человек вообще не должен лезть менять тайминги оперативки, а то потом пойдут сообщения уже с мобильного телефона «компьютер не включается, что делать» или в «биос даже нельзя зайти! а как прошивать программатором, объясните на пальцах».

Виктор Залипатов, достать батарейку на 10 сек нет!, прошивать программатором. да!

Похожие вопросы

Как уменьшить latency оперативной памяти на Intel, чипсет H410?

Author24 — интернет-сервис помощи студентам

Доброго времени суток!
С момента сбора ПК на полностью новом желез была проблема со статерами: даже при стабильно высоком fps в течение минуты-двух резко падала загрузка ГП и fps вместе с ней до околоминимальных значений.
Прогонял стресс тесты системы через Aida64 — все стабильно работает на удовлетворительных температурах, на сколько я могу судить, скрины прилагаются.
Не мог найти причину около недели, пока не наткнулся на видео одного блогера, где в хорошей сборке была проблема 1в1, как у меня, причиной статеров была высокая «latency», которую узрели в Aida64. Блогер пошаманил с настройками памяти, существенно снизив задержку и картина фреймрейта стабилизировалась.

Отсюда вопрос: как я могу добиться снижения этой самой latency, учитывая, что система собрана на базе Intel, мать на Н410 чипе, в биосе разгон недоступен (смотрел обновления биоса — там ничего по разгону памяти не добавляли).
Я так понимаю, что если на этом чипе разгон памяти недоступен, то с этой памятью уже ничего не сделать? Есть ли смысл покупать новую (если да, то какую)?

Комплектующие:
Процессор — Intel core i3 10100f, материнская плата — Gigabyte H410M S2, оперативная память — Crucial ct8g4dfra266 (2666 mhz, 19-19-19-43, одна плашка 8 ГБ), видеокарта — MSI gtx 1050 ti ОС, блок питания — Cooler master MWE white 400 вт. Все работает в стоке без разгонов (менял только режимы питания через винду, отключал/увеличивал файл подкачки, настраивал через центр Nvidia — все мимо).

Если я попал не в тот раздел, направьте на путь истинный)

94731 / 64177 / 26122
Регистрация: 12.04.2006
Сообщений: 116,782
Ответы с готовыми решениями:

Latency оперативной памяти на Intel
Всем привет. Недавно столкнулся с непонятной и вроде как неестественной задержкой для процессоров.

Заменил материнку ASUS P5GPL-X чипсет intel 915PL процессор intel LGA775, на ECS 915-M5GL чипсет intel 915 GL
Привет всем! Подскажите чайнику. Заменил материнку ASUS P5GPL-X чипсет intel 915PL процессор intel.

Как уменьшить потребление оперативной памяти плагинами?
Добрый день! Плагины adMob, firebase.analitycs, purchasing съедают +/- 150 МБ оперативной.

Как уменьшить объём потребляемой оперативной памяти?
Используется C# MySql При добавлении в таблицу MySql новых записей растёт потребление.

6259 / 2845 / 560
Регистрация: 09.09.2017
Сообщений: 10,464

ЦитатаСообщение от Даня359 Посмотреть сообщение

одна плашка 8 ГБ

С одной планкой играть плоховато, т.к. одноканал это только передача данных по одной 64-битной шине. Включение двухканального режима памяти удвоит пропускную способность памяти. Может не придется шаманить с таймингами.

ЦитатаСообщение от Даня359 Посмотреть сообщение

отключал/увеличивал файл подкачки

Прежде в всего для игр в сборке должен быть SSD (на нем система и файл подкачки), как правило дефолтные настройки файла подкачки менять не надо.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *